九月_SiC碳化矽專題|SiC碳化矽晶圓製程技術發展概況分析(下)

Published On: 2023/09/07|Categories: 科技|

長成的碳化矽單晶晶碇隨後要進行切割製程。由於其具有硬度大且易脆裂的特性,使得晶錠的切割難度大且易磨損,因而對於設備穩定性的要求非常高,目前已發展出機械、雷射、離子佈植與放電等四種切割技術,其比較如表2所列,目前絕大多數碳化矽基板製造商是使用技術成熟的鑽石線切割技術,其他創新技術多半處於推廣或測試驗證階段。

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