九月_SiC碳化矽專題|SiC碳化矽晶圓製程技術發展概況分析(上)

Published On: 2023/09/01|Categories: 科技|

製作碳化矽基板需經過長晶、切割、磨邊導角、研磨、拋光、清洗、出貨檢查等製程步驟,其中影響品質的關鍵是長晶、切割製程。最早是於1892年由Acheson以人造方式合成碳化矽,後於1955年Lely改良製作方法取得較佳的材料品質。這種方式作成的碳化矽雖然純度較低,但因為硬度高又耐高溫,所以很早就被用作研磨材料、剎車片、加熱器和耐火材等用途。直到1995年Cree開發出可以製作較大尺寸且高品質的碳化矽晶體生長技術,進而開啟該產業的發展。

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