九月_SiC碳化矽專題|SiC碳化矽基板市場發展現況剖析

Published On: 2023/09/01|Categories: 科技|

在各國節能減碳政策及相關補助方案驅動下,促使全球電動車與再生能源市場蓬勃發展,帶動龐大的功率元件需求,不過常用的矽基功率元件難以應付超過600V以上的高電壓應用,勢必要尋找替代材料,其中最受矚目是碳化矽。目前已知的碳化矽晶體結構超過250種,都是由四個矽原子環繞一個碳原子所組成的四角錐體結構,然而因為堆疊順序差異構成不同的晶體結構,最常用有3C-SiC、4H-SiC及6H-SiC等三種,C表示最後組成是立方體結構,H是指最後組成是六角形結構,數字則是相同堆疊結構重複出現的週期,一般將4H-SiC與6H-SiC合稱為α-SiC,而3C-SiC稱為β-SiC,其中以α-SiC在半導體領域最常使用。

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